小電容（小于500pF）試品主要有電容型套管、3~110kV電容式電流互感器等。對(duì)這些試品采用QS1型電橋的正、反接線進(jìn)行測(cè)量時(shí)，其介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量結(jié)果是不同的，如表1其原因分析如下。
表1 LCWD-110電流互感器采用不同測(cè)量接線的測(cè)量結(jié)果
|
正接線
|
反接線
|
|
一次對(duì)二次
（外殼接地）
|
一次對(duì)二次
（絕緣）
|
一次對(duì)二次及外殼
（接地）
|
|
Cx
(pF)
|
tgδ
(%)
|
Cx
(pF)
|
tgδ
(%)
|
Cx
(pF)
|
tgδ
(%)
|
|
50
|
3.3
|
56.6
|
3.5
|
81
|
2.2
|
按正接線測(cè)量一次對(duì)二次或一次對(duì)二次及外殼（墊絕緣）的介質(zhì)損耗因數(shù)，測(cè)量結(jié)果是實(shí)際被試品一次對(duì)二次及外殼絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)。而一次和頂部周圍接地部分的電容和介質(zhì)損耗因數(shù)均被屏蔽掉（電橋正接線測(cè)量時(shí)，接地點(diǎn)是電橋的屏蔽點(diǎn)）。由表2-45可見，一次對(duì)二次的電容量為50pF，而一次對(duì)二次及外殼（墊絕緣）的電容量為56.6pF，一次對(duì)外殼的電容量約為6.6pF，約為一次對(duì)二次及外殼總電容的1/9，這主要是油及瓷質(zhì)絕緣的電容。由于電容很小，所以在與一次對(duì)二次電容成并聯(lián)等值電路測(cè)量時(shí)，一次對(duì)外殼的影響很小。因此為了在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試方便，可直接測(cè)量一次對(duì)二次的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)便可以靈敏地發(fā)現(xiàn)其進(jìn)水受潮等絕緣缺陷，而按反接線測(cè)量的是一次對(duì)二次及地的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)值。此時(shí)一次和頂部對(duì)周圍接地部分的電容為81-56.6=24.4（pF），為反接線測(cè)量時(shí)總試品電容的30%。而這部分的介質(zhì)損失主要是空氣、絕緣油、瓷套等，在干燥及表面清潔的條件下，這部分的介質(zhì)損耗因數(shù)一般小于10%。由于試品本身電容小，而一次和頂部對(duì)周圍接地部分的電容所占的比例相對(duì)就比較大，也就對(duì)測(cè)量結(jié)果（反接線測(cè)量的綜合介質(zhì)損耗因數(shù)）有較大的影響。
由于正接線具有良好的康電場(chǎng)干擾，測(cè)量誤差較小的特點(diǎn)，一般應(yīng)以正接線測(cè)量結(jié)果作為分析判斷絕緣狀況的依據(jù)。
| 
