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如何測量電容型電流互感器末屏對地的介質損耗因數tgδ?要求值是多少?

[  修改時間:2015/5/20 16:40:54  瀏覽次數:2253]
 

測量電容型電流互感器末屏對地的介質損耗因數tgδ主要是檢查電流互感器底部和電容芯子表面的絕緣狀況。這是因為電流互感器的電容芯子絕緣干燥不徹底或因密封不良而進水受潮的水分往往殘留在底部,引起末屏對地的介質損耗因數升高。所以測量tgδ對檢出絕緣受潮具有重要意義。

測量電容型電流互感器末屏對地的介質損耗因數tgδ,通常利用QS1型西林電橋進行,其接線方式有正、反兩種接法。在電力系統(tǒng)中,采用反接線較方便,這時電流互感器的末屏接西林電橋,所有二次繞組與油箱底座短接后接地。正、反接線的測量結果列于表2-60中。

試品型號及編號

正接線

反接線

R3 (Ω)

tgδ(%

Cx (pF)

R3 (Ω)

tgδ(%

Cx (pF)

LCWB-220

#356

173.95

0.5

915.2

164.0

0.5

970.7

LCWB-220

#397

190.2

1.3

837.0

176.3

1.2

903.0

LCWB-220

#673

201.0

0.7

792.0

189.0

0.7

842.3

LCWB-220

#697

284.52

0.5

559.5

267.82

0.5

594.4

Us=3kV,CN=50pFR4=3184Ω。

由表2-60可見,兩種接線方法測得的介質損耗因數值相當吻合,只是電容值有所差別,反接法測得的Cx比正接法測得的大幾十皮法。這是由于用反接法測量時,將互感器末屏對地的雜散電容測進來的緣故,雜散電容與試品電容并聯(lián),因此測得的總容量就偏大。干擾較大時,宜采用正接線。

測量時應注意末屏引出結構方式對介質損耗的影響,由環(huán)氧玻璃布板直接引出的末屏介質損耗一般都較大,****可達8%左右,即使合格的也在1%~1.5%之間。由絕緣小瓷套管引出的末屏介質損耗一般都較小,在1%以下。最小的在0.4%左右。

測量時還應注意空氣相對濕度的影響,當試區(qū)空氣相對濕度達到85%以上時,用反接法測得的介質損耗因數產生較大的正偏差,這是因為濕度大時,在末屏引出的環(huán)氧玻璃布板或絕緣小瓷套表面形成游離水膜而產生泄漏電導電流所致。只有試區(qū)的空氣相對濕度在75%以下時,才能達到正確的數據。

試驗區(qū)空氣相對濕度的影響如表2-61所示。

2-61 不同相對濕度時末屏介質損耗因數tgδ

試品型號及編號

試區(qū)空氣相對濕度

%

末屏tgδ(%

LCWB-220

#685

89

71(加去濕機)

2.9

0.6

LCWB-220

#5

89

71(加去濕機)

2.8

0.7

LCWB-220

#256

90

74(加去濕機)

2.0

0.8

LCWB-110

#257

90

74(加去濕機)

2.6

1.1

《規(guī)程》規(guī)定,測量電容型電流互感器末屏對地的介質損耗因數tgδ時,試驗電壓為3kV,測量值不得大于2%

 
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