測(cè)量變壓器繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ主要是反映變壓器絕緣中的紙絕緣的tgδ，而絕緣電阻則時(shí)紙和油兩種絕緣的串聯(lián)值，故用tgδ來反映變壓器整體絕緣狀況比絕緣電阻有效。它是反映變壓器絕緣受潮的主要特征。
一、 測(cè)量方法
（1）根據(jù)單位具體條件可選用西林電橋或M型試驗(yàn)器，用西林電橋測(cè)試時(shí)多采用反接線方式。將被測(cè)繞組短接后接電橋的“CX”,對(duì)非被測(cè)繞組短接后接地。用M型試驗(yàn)器時(shí)將被測(cè)繞組短接后，接試驗(yàn)器電纜的總線，非被測(cè)繞組短接后，接地或接電纜頭的屏蔽環(huán)。這兩種方法的試驗(yàn)次數(shù)和部位有所不同，詳見表4-41及表4-42.
表4-41 西林測(cè)tgδ次數(shù)及部位
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試驗(yàn)序號(hào)
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雙繞組變壓器
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三繞組變壓器
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加壓
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接地
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部位
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加壓
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接地
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部位
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1
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高壓
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低壓+鐵芯
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C1+C13
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高壓
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中、低壓+鐵芯
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C1+C12+C13
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2
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低壓
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高壓+鐵芯
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C3+ C13
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中壓
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高低壓+鐵芯
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C2+C12+C23
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3
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高壓+低壓
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鐵芯
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C1+ C3
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低壓
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高中壓+鐵芯
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C3+C13+C23
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4
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高壓+低壓
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中壓
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C1+C12+C23+C3
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5
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高壓+中壓
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低壓
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C1+C2+C23+C13
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6
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低壓+中壓
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高壓
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C2+C3+C13+C12
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7
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高壓+低壓+中壓
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鐵芯
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C1+C2+C3
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表中C1指高壓對(duì)地電容，C2指中壓對(duì)地電容，C3指低壓對(duì)地電容，C12指高壓對(duì)中壓電容，C13指高壓對(duì)低壓電容，C23指中壓對(duì)低壓電容。
表4-42 M型試驗(yàn)器測(cè)tgδ次數(shù)和部位
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試驗(yàn)序號(hào)
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雙繞組變壓器
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三繞組變壓器
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加壓
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接地
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屏蔽
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部位
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加壓
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接地
|
屏蔽
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部位
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1
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高壓
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低壓
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C1+C13
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高壓
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低壓
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中壓
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C1+C13
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2
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高壓
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低壓
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C1
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高壓
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—
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中、低壓
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C1
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3
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低壓
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高壓
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C1+C13
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中壓
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高壓
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低壓
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C2+C12
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4
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低壓
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高壓
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C3
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中壓
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—
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高、低壓
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C2
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5
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低壓
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中壓
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高壓
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C3+ C23
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6
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低壓
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—
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高、中壓
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C3
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7
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高、中、低壓
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—
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—
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C1+C2+C3
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（2）西林電橋的讀數(shù)tgδ和電容C，而M型試驗(yàn)器的讀數(shù)為“mVA”和“mW”數(shù)，tgδ即為mW/mVA；C=mVA/V2ω=0.51mVA(PF)
（3）測(cè)量tgδ用西林電橋和M型試驗(yàn)器時(shí)，都要注意周圍的電場(chǎng)和磁場(chǎng)的干擾，可用倒相法或移相法進(jìn)行消除。我國已有新型的介質(zhì)損耗測(cè)試儀生產(chǎn)，如HT系列抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀，P5026M型直流電橋等，引入了抗干擾系統(tǒng)，提高了測(cè)試準(zhǔn)確度。
（4）不同溫度下的測(cè)得值應(yīng)換算到同一溫度，進(jìn)行比較。 | 
